公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2017 | Tuning of the work function of bilayer metal gate by in-situ atomic layer lamellar doping of AlN in TiN interlayer | Huang K.-W.; Cheng P.-H.; Lin Y.-S.; Wang C.-I.; Lin H.-C.; HSIN-CHIH LIN ; MIIN-JANG CHEN | Journal of Applied Physics | 5 | 5 |