公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2007 | Weak localization and electron-electron interaction effects in Al 0.15Ga0.85N/GaN high electron mobility transistor structures grown on p-type Si substrates | Chen, K.Y.; CHI-TE LIANG ; Chen, N.C.; Chang, P.H.; Chang, C.-A. | Chinese Journal of Physics | 8 |