公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2016 | Simulation-based study of negative-capacitance double-gate tunnel field-effect transistor with ferroelectric gate stack | Liu, C.; Chen, P.-G.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Lee, J.-W.; Huang, S.-J.; Liu, S.; Chen, Y.-S.; Lee, H.-Y.; Liao, M.-H. ; Chen, P.-S.; Lee, M.-H. | Japanese Journal of Applied Physics | 31 | 23 |