公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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1988 | The Characteristics of Si-Doped GaAs Epilayers Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Using Silane Source | 劉志文 ; Chen, S. L.; Lay, J. P.; 李嗣涔 ; 林浩雄 ; Lin, Hao-Hsiung | Applied Physics Letters | |||
1987 | The Characteristics of Silane Doping of GaAs by MOCVD | 劉志文 ; Chen, S. L.; Lay, J. P.; 李嗣涔 ; 林浩雄 ; Lin, Hao-Hsiung | 13th EDMS |