2020 | First demonstration of heterogenous complementary FETs utilizing Low-Temperature (200 °c) Hetero-Layers Bonding Technique (LT-HBT) | Hong T.-Z.; Chang W.-H.; Agarwal A.; Huang Y.-T.; Yang C.-Y.; Chu T.-Y.; Chao H.-Y.; Chuang Y.; Chung S.-T.; Lin J.-H.; Luo S.-M.; Tsai C.-J.; Li M.-J.; Yu X.-R.; Lin N.-C.; Cho T.-C.; Sung P.-J.; Su C.-J.; Luo G.-L.; Hsueh F.-K.; Lin K.-L.; Ishii H.; Irisawa T.; Maeda T.; Wu C.-T.; Ma W.C.-Y.; Lu D.-D.; Kao K.-H.; Lee Y.-J.; Chen H.J.-H.; Lin C.-L.; Chuang R.W.; Huang K.-P.; Samukawa S.; Li Y.-M.; Tarng J.-H.; Chao T.-S.; Miura M.; Huang G.-W.; Wu W.-F.; JIUN-YUN LI ; Shieh J.-M.; Wang Y.-H.; Yeh W.-K. | Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM | 8 | 0 | |