公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2009 | The mechanism of the recrystallization process in epitaxial GaN under dynamic stress field: Atomistic origin of planar defect formation | Das, C.R.; Dhara, S.; Hsu, H.C.; Chen, L.C. ; Jeng, Y.R.; Bhaduri, A.K.; Raj, B.; Chen, K.H.; Albert, S.K. | Journal of Raman Spectroscopy | 8 | 7 |