公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2012 | Applications of positron annihilation, photoluminescence, and Raman spectroscopies to analyze the defect near the Si0.5Ge0.5/Si interface with super quality by diluted HF treatment | C.-H. Chen; M.-H. Liao; K.-R. Lee; W.-S. Hong; K.-S. Liao; M.-C. Hung; W.-S. Wang; MING-HAN LIAO | 第十六屆非破壞檢測技術研討會暨年會論文競賽 |