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Wan H.-W
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顯示 1 到 4 筆資料,總共 4 筆
公開日期
標題
作者
來源出版物
scopus
WOS
全文
2019
Epitaxy of High-Quality Single-Crystal Hexagonal Perovskite YAlO<inf>3</inf> on GaAs(111)A Using Laminated Atomic Layer Deposition
Young, L.B.; CHIA-KUEN CHENG
; Lin K.-Y; Lin Y.-H; Wan H.-W; Cai R.-F; Lo S.-C; Li M.-Y; Hsu C.-H; Kwo J; MINGHWEI HONG
Crystal Growth and Design
3
3
2022
High-Ge-Content Si1-xGexGate Stacks with Low-Temperature Deposited Ultrathin Epitaxial Si: Growth, Structures, Low Interfacial Traps, and Reliability
Wan H.-W; Cheng Y.-T; CHIA-KUEN CHENG
; Hong Y.-J; Chu T.-Y; Chang M.-T; Hsu C.-H; Kwo J; Hong M.
ACS Applied Electronic Materials
1
1
2022
In-situ deposited HfO2and Y2O3on epi-Si/ p-Ge-a comparative study of the interfacial properties and reliability
Chu T.-Y; Wan H.-W; Cheng Y.-T; CHIA-KUEN CHENG
; Hong Y.-J; Kwo J; Hong M.
Japanese Journal of Applied Physics
3
2
2021
Low-Temperature-Grown Single-Crystal Si Epitaxially on Ge, Followed by Direct Deposition of High-κ Dielectrics-Attainment of Low Interfacial Traps and Highly Reliable Ge MOS
Wan H.-W; Hong Y.-J; Cheng Y.-T; CHIA-KUEN CHENG
; Hsu C.-H; Wu C.-T; Pi T.-W; Kwo J; Hong M.
ACS Applied Electronic Materials
7
7