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(Principal Investigator)



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Start DateTitleP-InvestigatorFunding Organization/經費來源
2019剪裁原子尺度的介面調控下世代元件-剪裁原子尺度的介面調控下世代元件MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2019【臺日(JP)國合計畫-國際合作鏈結法人計畫-鍺金氧半元件-絕緣層上鍺科技及高介電係數閘極和金屬與鍺介面的基礎科學研究(2/4) 】MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2018金屬和鍺的介面-蕭特基能障及歐姆接觸之基礎研究(1/2)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2018終極與超越互補式金氧半元件的科學與科技研究-Ⅱ-3MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2018臺日(JP)國合計畫-國際合作鏈結法人計畫-鍺金氧半元件-絕緣層上鍺科技及高介電係數閘極和金屬與鍺介面的基礎科學研究(1/4)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2017終極與超越互補式金氧半元件的科學與科技研究-II-2MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2016終極與超越互補式金氧半元件的科學與科技研究-II (Ultimate CMOS and Beyond – Science and Technology – II)-終極與超越互補式金氧半元件的科學與科技研究-IIMINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2016優勢重點領域拔尖計畫【子計畫 3 發展高效能綠電子科技於氧化物與半導體異質界面之前瞻研究】MINGHWEI HONGMinistry of Education
2015終極互補式金氧半場效電晶體的科學與科技研究-總計畫及子計畫一:終極互補式金氧半場效電晶體的科學與科技研究(3/3)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2015優勢重點領域拔尖計畫【子計畫3-發展高效能綠電子科技於氧化物與半導體異質界面之前瞻研究】MINGHWEI HONGMinistry of Education
2014終極互補式金氧半場效電晶體的科學與科技研究-總計畫及子計畫一:終極互補式金氧半場效電晶體的科學與科技研究(2/3)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2013終極互補式金氧半場效電晶體的科學與科技研究-總計畫及子計畫一:終極互補式金氧半場效電晶體的科學與科技研究(1/3)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2013InGaAs MOSFET-growth,characterization and fabrication (dielectrics by MBE)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2013子計畫3-發展高效能綠電子於氧化物與半導體異質介面之前瞻研究MINGHWEI HONGMinistry of Education
2012子計畫3-發展高效能綠電子於氧化物與半導體異質介面之前瞻研究MINGHWEI HONGMinistry of Education
2012學研合作計畫-高介電與高遷移率金氧半場效電晶體 : 高性能MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2011學研合作計畫-高介電與高遷移率金氧半場效電晶體 : 高性能MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2011發展高效能綠電子科技於氧化物與半導體異質介面之前瞻研究MINGHWEI HONGMinistry of Education
2010學研合作計畫-高介電與高遷移率金氧半場效電晶體 : 高性能MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology
2009超越矽互補式金氧半電晶體在三五族與鍺奈米電子的研究(3/3)MINGHWEI HONGMinistry of Science and Technology