https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/122007
標題: | 毫米波單晶電路之研製(1/3) (2/3) (3/3) Research and Development of millimeter-wave monolithic circuits (1/3) (2/3) (3/3) |
作者: | 王暉 | 關鍵字: | 毫米波;Q-頻段;V- 頻段;W-頻段;高速場效電晶體;異質接面 雙極性電晶體;單晶微波積體電路;Millimeter-wave;Q-band;V-band;W-band;HEMT;HBT;MMIC | 公開日期: | 31-十月-2003 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電信工程學研究所 | 摘要: | 本三年期之計畫目標為使用砷化鎵單晶 微波積體電路製程技術(0.15 或0.1 微米之高 電子移動率電晶體與2 微米之異質接面雙極 性電晶體) 來研製毫米波頻段(Q-band , 33-50GHZ)以上之單晶體電路。所計劃研製之 單晶積體之電路,包括放大器、混頻器、震盪 器及被動和研製電路,如毫米波切換器、相移 器及平衡-不平衡轉換器等。 我們在計畫的第一年中成功地研製出Q- 頻段(33-50GHZ)之各項積體電路。其中包括 40 GHz 共面波導低雜訊放大器、35-45 GHz 次諧波混頻器、35 GHz 振盪器、Q 頻段單刀 雙擲開關 在第二年之計劃中,我們完成了57-60 GHz 低雜訊放大器、54~64 GHz 次諧波混頻器、55-60 GHz 功率放大器與15-80 GHz 利用行波 (traveling wave)概念所設計之單刀雙擲切換器。 在第三年的計畫中,已完成W-頻段(75-110 GHz)之積體電路之研製,其中包括77 GHz 功 率放大器、84 GHz 倍頻器、94 GHz 三倍頻器、 97 GHz 振盪器與W 頻段之次協波混頻器。以 上單晶積體電路皆已完成量測。 本計畫之積體電路係為應用CIC 所洽商之 美國TRW 公司之0.15 微米與0.1 微米HEMT, 與GCS 公司之2 微米HBT MMIC 製程。 This three-year project is proposing the development of monolithic millimeter-wave (MMW) components at Q-band (33-50 GHz) and above using GaAs MMIC process technologies (e.g. 0.15 or 0.1-μm gate-length HEMT, 2-μm HBT), which are available through a certain foreign commercial foundries, coordinated by Chip Implementation Center, National Applied Research Laboratories. The MMIC components will include low noise amplifiers, power amplifiers, mixers and oscillators, as well as some passive and control components, such as MMW switches, phase shifters, and baluns, etc. The MMIC components development for frequency up to Q-band (33-50 GHz) has been demonstrated in the first year. These circuits include 40-GHz GCPW low noise amplifier, 35-45 GHz subharmonic mixer, 35-GHz oscillator and Q-band SPDT (single-pole-double-throw) switch. In the second year, we have completed the development of a 57-60 GHz low noise amplifier, a 54-64 GHz sub-harmonic mixer, a 54.5-59.5 GHz power amplifier, and a 15-80 GHz SPDT switch using traveling-wave concept. In the third year, the W-band MMICs include 77-GHz power amplifier, 84-GHz frequency doubler, 94-GHz frequency tripler, 85-GHz voltage control oscillator and W-band subharmonic mixer were developed. All the MMICs have been measured. This research utilized 0.1- and 0.15-μm gate-length HEMT MMIC processes provided by TRW, USA and 2-μm HBT MMIC process provided by GCS, USA through CIC. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/20278 | 其他識別: | 912219E002042 | Rights: | 國立臺灣大學電信工程學研究所 |
顯示於: | 電信工程學研究所 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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912219E002042.pdf | 406.21 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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