https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/148548
標題: | SiC vs. Si: two-dimensional analysis of quasi-saturation behavior of DMOS devices operating at elevated temperatures | 作者: | Chang, Y.W. Kuo, J.B. |
公開日期: | 十月-1995 | 起(迄)頁: | - | 來源出版物: | Solid-State and Integrated Circuit Technology, 1995 4th International Conference on | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/2007041910032074 | 其他識別: | N/A | DOI: | 10.1109/ICSICT.1995.500092 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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