https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/151172
標題: | 砷化銦鎵HFET MMIC 製程(1/3) | 作者: | 呂學士 | 關鍵字: | GaInP HFET MMIC processing | 公開日期: | 31-七月-1999 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 | 摘要: | 為了要使電晶體有更高的增益與電 流值,縮小閘極長度並同時閘極電阻是必 要的。因此,T 型( 或蘑菇型 ) 次微米閘 極元件的製作勢在必行。本年度的研究目 標就是在探討次微米T 型閘極的製作方 法。我們利用光阻加熱流動的特性以及三 層光阻的結構,設計了一套次微米T 型閘 極的製程步驟,並且以實驗驗證其可行 性。結果顯示,在不需要昂貴的電子束曝 光機的條件之下,我們利用傳統的UV 光 阻亦可做出具有深次微米寬度之T 型閘 極。 For more power gain and current, shrinking gate length but at the same time decreasing gate resistance is essential. The T shape submicron gate is the most effective way to meet both requirements. In this year, our research is focused on the fabrication of the T-shape submicron gate length by photoresist reflowing method. Using the flowing property of photoresist under high enough temperature and tri-layer photoresist structure, we have formed the submicron Tgate without resorting to the E-beam or Xray lithography. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/7727 | 其他識別: | 882219E002009 | Rights: | 國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 |
顯示於: | 電機工程學系 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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