https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/155721
標題: | High power In0.49Ga0.51P/ In0.15Ga0.85As heterostructure doped-channel FETs | 作者: | Chiu, H. C. Yang, S. C. Chan, Y. J. Lin, H. H. |
公開日期: | 2001 | 期: | 10 | 起(迄)頁: | 1312-1317 | 來源出版物: | IEICE Trans. Electron. E84-C | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/146069 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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