https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/173508
標題: | 子計畫一:砷銻化鎵第二型量子井的成長與元件技術 | 作者: | 林浩雄 | 關鍵字: | 分子束磊晶;含銻化合物半導體;銻砷化鎵量子井;能帶接合;價電帶不 連續;molecular beam epitaxy;Sb-based compound semiconductor;GaAsSb quantum well;band-lineup;valence band discontinuity | 公開日期: | 31-十月-2003 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電子工程學研究所 | 摘要: | 本計畫研究以固態源分子束磊晶法在 砷化鎵基板上成長銻砷化鎵/砷化鎵第二型 量子井以及雷射二極體。在第二型量子井 的部分我們達到波長1300nm、半寬80meV 的室溫光激螢光譜。單量子井雷射的室溫 振盪波長達1292nm,起振電流密度達300 A/cmP 2 P。此外,我們也研究銻砷化鎵/砷化 鎵第二型異質結構的能帶接合。我們首先 提出一個外插法來去除這種量子井結構中 因載子分離電場所造成的光激螢光譜的藍 位移,以獲取平能帶狀況下的光子遷移能 量。然後再藉由比較不同井寬量子井的平 能帶遷移能量以獲取異質結構價電帶不連 續佔能隙差的比例,QBVB。我們所獲得的QBVB 值為1.32。 In this study, GaAsSb/GaAs type-II quantum wells and laser devices have been successfully grown and fabricated. The photoluminescence emission wavelength of the type-II quantum well reaches 1300m with a FWHM of 80 meV. On the results of the type II GaAsSb/GaAs single quantum-well laser diode, an emission wavelength of 1292nm and a low threshold current density of 300A/cmP 2 P are demonstrated at room temperature. The band offset of the type-II GaAsB0.7BSbB0.3B/GaAs quantum well is also studied. We propose an extrapolation method to remove the band-bending effect and determine the flat-band transition energy of the type-II quantum well from photoluminescence (PL) measurement. Then, we compare the flat-band transition energy of type-II GaAsB0.7BSbB0.3B/GaAs QW with different quantum well thickness to extract the valence-band-offset ratio of the heterostructure. The obtained valence-band-offset ratio is 1.32. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/19979 | 其他識別: | 912120E002004 | Rights: | 國立臺灣大學電子工程學研究所 |
顯示於: | 電子工程學研究所 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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