https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/173536
標題: | 砷銻化鎵第二型量子元件技術 GaAsSb type-II Quantum Devices |
作者: | 林浩雄 | 關鍵字: | 分子束磊晶;含銻化合物半導體;銻砷化鎵量子井;特徵溫度;molecular beam epitaxy;Sb-based compound semiconductor;GaAsSb quantum well;characteristic temperature | 公開日期: | 31-十月-2004 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電子工程學研究所 | 摘要: | 本研究係以固態源分子束磊晶法在砷化鎵 基板上成長銻砷化鎵/砷化鎵第二型量子井 以及雷射二極體,並探討其溫度特性。在 單量子井雷射的研製中,獲取的室溫振盪 波達1290nm,起振電流密度也僅有300 A/cm2,具有光纖通信應用的潛力。此外, 我們也對雷射進行溫度特性分析,並藉著 量測起振前自發性發光強度對注入電流的 關係以獲取起振電流的成份特性。雷射特 徵溫度在50~60K,而歐傑復合在高溫時 GaAsSb/GaAs雷射的溫度特性有相當大的 影響。 We report the grown and fabrication of GaAsSb/GaAs type-II quantum wells (QWs) and lasers. The photoluminescence emission wavelength of the type-II quantum well reaches 1300m with a FWHM of 80 meV. On the results of the type II GaAsSb/GaAs single quantum-well laser diode, an emission wavelength of 1290nm and a low threshold current density of 300A/cm2 are demonstrated at room temperature. The thermal properties of the type-II lasers were also investigated. The characteristic temperature of the lasers is within 50 ~ 60K. By measuring the relation between the spontaneous emission intensity and injection current of the lasers, we obtained the dominant mechanisms in the threshold current. It is found that the Auger recombination dominates the characteristic temperature at high operation temperature. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/20013 | 其他識別: | 922215E002024 | Rights: | 國立臺灣大學電子工程學研究所 |
顯示於: | 電子工程學研究所 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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