https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/173645
標題: | An Analysis of Base Bias Current Effect on SiGe HBTs | 作者: | Lin, Yo-Sheng Lu, Shey-Shi |
公開日期: | 2005 | 卷: | 52 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 132-136 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-12344257975&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/316523 http://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/20060927122739789644/1/01372722.pdf |
DOI: | 10.1109/TED.2004.841347 |
顯示於: | 電子工程學研究所 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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