https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/174065
標題: | Growth of High-Quality Epitaxial InN Film with High-Speed Reactant Gas by Organometallic Vapor-Phase Epitaxy | 作者: | Yang, Fu-Hsiang Hwang, Jih-Sheng Yang, Ying-Jay Chen, Kuei-Hsien Wang, Jih-Hsiang |
公開日期: | 2002 | 卷: | 41 | 期: | 11b | 起(迄)頁: | L1321-L1324 | 來源出版物: | Japanese Journal of Applied Physics | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/238192 http://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/238192/-1/02.pdf |
DOI: | 10.1143/JJAP.41.L1321 |
顯示於: | 電子工程學研究所 |
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