https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/288949
標題: | Resistance-dependent field effect on the radiation behavior of MOS capacitors examined by instantaneous-terminal-voltage technique | 作者: | JENN-GWO HWU | 公開日期: | 1990 | 卷: | 51 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 41-48 | 來源出版物: | Journal of Physics and Chemistry of Solids | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0025544507&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/288949 |
DOI: | 10.1016/0022-3697(90)90130-8 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。