https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/289573
標題: | Papers from the 18th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy-Nitrides by MBE-Properties of Ga2O3 (Gd2O3)/GaN metal-insulator-semiconductor diodes | 作者: | Hong, M Anselm, KA Kwo, J Ng, HM Baillargeon, JN Kortan, AR Mannaerts, JP Cho, AY Lee, CM Chyi, JI others MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2000 | 卷: | 18 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 1453-1456 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science and Technology-Section B-Microelectronics Nanometer Structur | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/289573 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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