https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/294269
標題: | High power In0.49Ga0.51P/ In0.15Ga0.85As heterostructure doped-channel FETs | 作者: | H. C. Chiu S. C. Yang Y. J. Chan H. H. Lin HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 十月-2001 | 卷: | E84-C | 期: | 10 | 起(迄)頁: | 1312-1317 | 來源出版物: | IEICE Transactions on Electronics | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/294269 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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