https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/303339
標題: | DC characterization of Ga0.51In0.49P/GaAs insulated-gate inverted-structure HEMT grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy (GSMBE) | 作者: | SHEY-SHI LU | 公開日期: | 1993 | 起(迄)頁: | 455-458 | 來源出版物: | European Solid-State Device Research Conference | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84907685157&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/303339 |
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