https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/309337
標題: | Piezoelectric field effect transistor (PEFET) using In0.2Ga0.8As/Al0.35Ga0.65As/In0.2Ga0.8As/GaAs strained layer structure on (111)B GaAs substrate | 作者: | SHEY-SHI LU | 公開日期: | 1994 | 卷: | 30 | 期: | 10 | 起(迄)頁: | 823-825 | 來源出版物: | Electronics Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0028430084&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/309337 |
DOI: | 10.1049/el:19940432 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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