https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/316531
標題: | High-Linearity High-Current-Drivability Ga0.51In0.49P/GaAs MISFET Using Ga0.51In0.49P Airbridge Gate Structure Grown by GSMBE | 作者: | SHEY-SHI LU | 公開日期: | 1995 | 卷: | 16 | 期: | 11 | 起(迄)頁: | 518-520 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029406373&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/316531 |
DOI: | 10.1109/55.468286 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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