https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/316533
標題: | High-breakdown-voltage Ga0.51In0.49P/GaAs I-HEMT and I2HEMT with a GaInP passivation layer grown by gas source molecular beam epitaxy | 作者: | Sun, T.P. Huang, C.L. Lu, S.S. |
公開日期: | 1995 | 卷: | 38 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 25-29 | 來源出版物: | Solid State Electronics | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029234881&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/316533 |
DOI: | 10.1016/0038-1101(94)E0070-U |
顯示於: | 電機工程學系 |
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