https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/324107
標題: | An analysis of base bias current and intrinsic base resistance effects on InP-InGaAs, InGaP-GaAs, and SiGe heterojunction bipolar transistors | 作者: | Lin, Y.-S. Chen, C.-C. Lu, S.-S. SHEY-SHI LU |
公開日期: | 2006 | 卷: | 45 | 期: | 5 A | 起(迄)頁: | 3949-3954 | 來源出版物: | Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-33646883274&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/324107 |
DOI: | 10.1143/JJAP.45.3949 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。