https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/331398
標題: | Depletion-mode GaAs-based MOSFET with Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) as a gate dielectric | 作者: | Tsai, PJ Chu, LK Chen, YW Chiu, YN Yang, HP Chang, P Kwo, J Chi, J Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2007 | 卷: | 301 | 起(迄)頁: | 1013-1016 | 來源出版物: | Journal of Crystal Growth | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/331398 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。