https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/331408
標題: | Ga 2 O 3 „Gd 2 O 3…/Si 3 N 4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion | 作者: | Zheng, JF Tsai, W Lin, TD Lee, YJ Chen, CP Hong, M Kwo, J Cui, S Ma, TP MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2007 | 卷: | 91 | 期: | 22 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/331408 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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