https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/333534
標題: | Burstein-Moss shift in heavily Be-doped InAs0.66P0.24Sb0.10 | 作者: | I. C. Chen G. Tsai HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 十二月-2007 | 起(迄)頁: | B4-5 | 來源出版物: | International electron devices and materials symposia | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/333534 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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