https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340177
標題: | Inversion-channel GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with atomic-layer-deposited Al 2 O 3 as gate dielectric | 作者: | Chang, YC Chang, WH Chiu, HC Tung, LT Lee, CH Shiu, KH Hong, M Kwo, J Hong, JM Tsai, CC MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 卷: | 93 | 期: | 5 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340177 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。