https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349435
標題: | Depletion-mode In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs MOSFET with molecular beam epitaxy grown Al 2 O 3/Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) as gate dielectrics | 作者: | Lin, CA Lin, TD Chiang, TH Chiu, HC Chang, P Hong, M Kwo, J MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2009 | 卷: | 311 | 期: | 7 | 起(迄)頁: | 1954-1957 | 來源出版物: | Journal of Crystal Growth | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349435 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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