https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/364345
標題: | Self-aligned inversion-channel In0. 2Ga0. 8As metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with molecular beam epitaxy Al2O3/Ga2O3 (Gd2O3) as the gate dielectric | 作者: | Chang, WH Chiang, TH Wu, YD Hong, M Lin, CA Kwo, J MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2011 | 卷: | 29 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 03C122 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science & Technology B | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/364345 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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