https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/372789
標題: | First-principles study of GeO <inf>2</inf>/Ge interfacial traps and oxide defects | 作者: | Lu, S.-C. Chang, H.-C. Chou, T.-P. Liu, C. CHEE-WEE LIU |
公開日期: | 2012 | 起(迄)頁: | 144-145 | 來源出版物: | 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84864202629&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/372789 |
DOI: | 10.1109/ISTDM.2012.6222499 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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