https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/379370
標題: | High-performance self-aligned inversion-channel In0. 53Ga0. 47As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors by in-situ atomic-layer-deposited HfO2 | 作者: | Lin, TD Chang, WH Chu, RL Chang, YC Chang, YH Lee, MY Hong, PF Chen, Min-Cheng Kwo, J Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2013 | 卷: | 103 | 期: | 25 | 起(迄)頁: | 253509 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/379370 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。