https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/386509
標題: | Passivation of GaSb using molecular beam epitaxy Y2O3 to achieve low interfacial trap density and high-performance self-aligned inversion-channel p-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors | 作者: | Chu, RL Chiang, TH Hsueh, WJ Chen, KH Lin, KY Brown, GJ Chyi, JI Kwo, J Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2014 | 卷: | 105 | 期: | 18 | 起(迄)頁: | 182106 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/386509 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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