https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/392292
標題: | Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high $κ$ gate dielectric using a CMOS compatible process | 作者: | Fu, CH MINGHWEI HONG et al. |
公開日期: | 2015 | 卷: | 147 | 起(迄)頁: | 330-334 | 來源出版物: | Microelectronic Engineering | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/392292 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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