https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404507
標題: | Prospects for ferroelectric HfZrOx FETs with experimentally CET=0.98nm, SS<inf>for</inf>=42mV/dec, SS<inf>rev</inf>=28mV/dec, switch-off <0.2V, and hysteresis-free strategies | 作者: | Lee, M.H. Chen, P.-G. Liu, C. Chu, K.-Y. Cheng, C.-C. Xie, M.-J. Liu, S.-N. Lee, J.-W. Huang, S.-J. Liao, M.-H. Tang, M. Li, K.-S. Chen, M.-C. |
公開日期: | 2015 | 卷: | 2016-February | 起(迄)頁: | 22.6.1-22.6.4 | 來源出版物: | International Electron Devices Meeting | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404507 | DOI: | 10.1109/IEDM.2015.7409759 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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