https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404520
標題: | ~20% Idsat improvement in the Si 3D FinFET with the implement of D-SMT process | 作者: | M. H.Liao P.-G. Chen C. P. Hsieh |
公開日期: | 2015 | 來源出版物: | 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures | 描述: | Canada |
URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404520 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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