https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404524
標題: | Effect of hydrogen participation on the improvement in electrical characteristics of HfO2 gate dielectrics by post-deposition remote N2, N2/H2, and NH3 plasma treatments | 作者: | M. H.Liao Li-Tien Huang Ming-Lun Chang Jhih-Jie Huang Chin-Lung Kuo Hsin-ChihLin Min-Hung Lee Miin-Jang Chen |
公開日期: | 2012 | 起(迄)頁: | 55103 | 來源出版物: | Journal of Physics D: Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404524 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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