https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443330
標題: | Synchrotron radiation photoemission study of interfacial electronic structure of HfO<inf>2</inf> on In<inf>0.53</inf>Ga<inf>0.47</inf>As(001)-4 ? 2 from atomic layer deposition | 作者: | Pi, T.W. Lin, T.D. Lin, H.Y. Chang, Y.C. Wertheim, G.K. Kwo, J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2014 | 卷: | 104 | 期: | 4 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443330 | DOI: | 10.1063/1.4863440 |
顯示於: | 物理學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。