https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443333
標題: | High-performance self-aligned inversion-channel In<inf>0.53</inf>Ga <inf>0.47</inf>As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors by in-situ atomic-layer-deposited HfO<inf>2</inf> | 作者: | Lin, T.D. Chang, W.H. Chu, R.L. Chang, Y.C. Chang, Y.H. Lee, M.Y. Hong, P.F. Chen, M.-C. Kwo, J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2013 | 卷: | 103 | 期: | 25 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443333 | DOI: | 10.1063/1.4852975 |
顯示於: | 物理學系 |
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