https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443376
標題: | Self-aligned inversion-channel In<inf>0.2</inf>Ga<inf>0.8</inf>As metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with molecular beam epitaxy Al<inf>2</inf> O<inf>3</inf>/Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>(Gd<inf>2</inf>O <inf>3</inf>) as the gate dielectric | 作者: | Chang, W.H. Chiang, T.H. Wu, Y.D. MINGHWEI HONG Lin, C.A. Kwo, J. |
公開日期: | 2011 | 卷: | 29 | 期: | 3 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443376 | DOI: | 10.1116/1.3565057 |
顯示於: | 物理學系 |
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