https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443390
標題: | Engineering of threshold voltages in molecular beam epitaxy-grown Al <inf>2</inf> O<inf>3</inf> / Ga<inf>2</inf> O<inf>3</inf> (Gd<inf>2</inf> O <inf>3</inf>) / In<inf>0.2</inf> Ga<inf>0.8</inf> As | 作者: | Wu, Y.D. Lin, T.D. Chiang, T.H. Chang, Y.C. Chiu, H.C. Lee, Y.J. Hong, M. Lin, C.A. Kwo, J. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2010 | 卷: | 28 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | C3H10-C3H13 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443390 | DOI: | 10.1116/1.3271141 |
顯示於: | 物理學系 |
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