https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443420
標題: | Si metal-oxide-semiconductor devices with high 庥 Hf O2 fabricated using a novel MBE template approach followed by atomic layer deposition | 作者: | Pan, C.H. Kwo, J. Lee, K.Y. Lee, W.C. Chu, L.K. Huang, M.L. Lee, Y.J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 卷: | 26 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 1178-1181 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443420 | DOI: | 10.1116/1.2912087 |
顯示於: | 物理學系 |
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