https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443464
標題: | GaAs-based metal-oxide semiconductor field-effect transistors with Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> gate dielectrics grown by atomic layer deposition | 作者: | Ye, P.D. Wilk, G.D. Yang, B. Kwo, J. Gossmann, H.-J.L. Frei, M. Mannaerts, J.P. Sergent, M. Hong, M. Ng, K.K. Bude, J. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2004 | 卷: | 33 | 起(迄)頁: | 912-915 | 來源出版物: | Journal of Electronic Materials | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443464 | ISBN: | 10.1007/s11664-004-0220-9 |
顯示於: | 物理學系 |
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