https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/447962
標題: | The reduction of keep-out zone (?10×) by the optimized novel trench structures near the through silicon vias for the application in 3-dimensional integrated circuits | 作者: | Liao, M.H. MING-HAN LIAO |
公開日期: | 2013 | 卷: | 114 | 期: | 15 | 來源出版物: | Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/447962 | DOI: | 10.1063/1.4826196 |
顯示於: | 機械工程學系 |
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