https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/46943
標題: | Realization of high-quality HfO2 on In0.53Ga0.47As by in-situ atomic-layer-deposition | 作者: | Lin, T.D. Chang, Y.H. Lin, C.A. Huang, M.L. Lee, W.C. Kwo, J. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2012 | 起(迄)頁: | 172110 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/242877 | DOI: | 10.1063/1.4706261 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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