https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491632
標題: | Charge trapping characteristics of atomic-layer-deposited HfO<inf>2</inf> films with Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> as a blocking oxide for high-density non-volatile memory device applications | 作者: | Maikap, S. Lee, H.Y. Wang, T.-Y. Tzeng, P.-J. Wang, C.C. Lee, L.S. Liu, K.C. Yang, J.-R. Tsai, M.-J. JER-REN YANG |
公開日期: | 2007 | 卷: | 22 | 期: | 8 | 起(迄)頁: | 884-889 | 來源出版物: | Semiconductor Science and Technology | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491632 | DOI: | 10.1088/0268-1242/22/8/010 |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
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