https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491732
標題: | Atomic Layer Deposition of Gallium Oxide Films as Gate Dielectrics in AlGaN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors | 作者: | Shih, H.-Y. Chu, F.-C. Das, A. Lee, C.-Y. Chen, M.-J. Lin, R.-M. MIIN-JANG CHEN |
公開日期: | 2016 | 卷: | 11 | 期: | 1 | 來源出版物: | Nanoscale Research Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491732 | DOI: | 10.1186/s11671-016-1448-z |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
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