https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491754
標題: | Enhancement of electrical characteristics and reliability in crystallized ZrO <inf>2</inf> gate dielectrics treated with in-situ atomic layer doping of nitrogen | 作者: | Huang, J.-J. Huang, L.-T. Tsai, M.-C. Lee, M.-H. Chen, M.-J. MIIN-JANG CHEN |
公開日期: | 2014 | 卷: | 305 | 起(迄)頁: | 214-220 | 來源出版物: | Applied Surface Science | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/491754 | DOI: | 10.1016/j.apsusc.2014.03.039 |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
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