https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/498022
標題: | Experimental analysis of the Schottky barrier height of metal contacts in black phosphorus field-effect transistors | 作者: | Chang, H.-M. Fan, K.-L. Charnas, A. Ye, P.D. Lin, Y.-M. Wu, C.-I. CHIH-I WU CHAO-HSIN WU |
公開日期: | 2018 | 卷: | 51 | 期: | 13 | 來源出版物: | Journal of Physics D: Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/498022 | DOI: | 10.1088/1361-6463/aab063 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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